專為晶圓材料打造的高精度無損分析利器
UniDRON-Semi 是一款專門針對晶圓製程所設計的共軛焦顯微拉曼光譜儀,具備創新非破壞性分析能力,可用於檢測晶圓中的殘留應力、晶格缺陷、摻雜濃度、材料結構與成分變化,並廣泛應用於半導體製程各階段如晶錠切片、晶圓切割、研磨、CMP、外延、薄膜沉積、蝕刻、離子注入與退火等工
序。
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關鍵技術亮點
- ♥ 共軛焦顯微系統與自動對焦模組
提供高精度的深度掃描與自動影像聚焦。
♥ 10 種 UV~NIR 波段激光器選配
滿足各種材料與深度層之需求。
♥ 無須樣品前處理
即放即測,快速便利。
♥ 非破壞性摻雜濃度演算技術
透過軟體方程式直接定量顯示摻雜分布。
♥ ESG 導向
拒絕使用有毒與腐蝕性化學物質。
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功能模式一覽
功能模式 | 應用實例 |
晶圓深度應力分析 | 薄膜沉積引發的多層壓縮與拉伸應力 |
晶格結構辨識 | 區分SiC 4H/6H/15R 等原子堆疊方式 |
晶格缺陷偵測 | 側堆層錯、位錯分佈 |
非破壞性摻雜濃度分析 | 雙層鋁/鎂離子注入後濃度與應力分布 |
材料成分定性 | 殘留物等異物分析 |
材料結構變化 | 晶圓切割後的鍵結斷裂與化學變化 |
技術規格(節錄)
項目 | 規格 |
適用晶圓尺寸 | 6"、8"、12"(最大 300x300 mm) |
自動分析時間 | 8" 晶圓、900 分析點 約 15 分鐘 |
自動載台精度 | XY 解析度 ≧ 50nm,Z 解析度 ≧ 10nm |
激光波段 | UV(266nm)~ NIR(1064nm)多波段選配 |
拉曼解析度 | 0.1–1.0 cm⁻¹、空間分辨率 ≤ 1 μm |
偵測器選配 | 背照式冷卻 CCD、InGaAs NIR 線型感測器 |
軟體功能 | UniSCAN系統控制、光譜映射、定量分析 |
設備尺寸重量 | 1860 x 1600 x 1900 mm、2.5 噸 |
適用市場
- 半導體製造業
- 晶圓研發實驗室
- 材料科學研究機構
- 第三方檢測單位