UniDRON-semi 點擊圖片放大
商品名稱:

UniDRON-semi

規格介紹:

共軛焦顯微拉曼光譜晶圓分析設備

詳細介紹:

專為晶圓材料打造的高精度無損分析利器

UniDRON-Semi 是一款專門針對晶圓製程所設計的共軛焦顯微拉曼光譜儀,具備創新非破壞性分析能力,可用於檢測晶圓中的殘留應力、晶格缺陷、摻雜濃度、材料結構與成分變化,並廣泛應用於半導體製程各階段如晶錠切片、晶圓切割、研磨、CMP、外延、薄膜沉積、蝕刻、離子注入與退火等工

序。

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關鍵技術亮點

  • ♥ 共軛焦顯微系統與自動對焦模組
       提供高精度的深度掃描與自動影像聚焦。
    ♥ 10 種 UV~NIR 波段激光器選配
       滿足各種材料與深度層之需求。
    ♥ 無須樣品前處理
       即放即測,快速便利。
    ♥ 非破壞性摻雜濃度演算技術
       透過軟體方程式直接定量顯示摻雜分布。
    ♥ ESG 導向
       拒絕使用有毒與腐蝕性化學物質。

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功能模式一覽

功能模式

應用實例

晶圓深度應力分析

薄膜沉積引發的多層壓縮與拉伸應力

晶格結構辨識

區分SiC 4H/6H/15R 等原子堆疊方式

晶格缺陷偵測

側堆層錯、位錯分佈

非破壞性摻雜濃度分析

雙層鋁/鎂離子注入後濃度與應力分布

材料成分定性

殘留物等異物分析

材料結構變化

晶圓切割後的鍵結斷裂與化學變化

技術規格(節錄)

項目

規格

適用晶圓尺寸

6"8"12"(最大 300x300 mm

自動分析時間

8" 晶圓、900 分析點 約 15 分鐘

自動載台精度

XY 解析度 ≧ 50nmZ 解析度 ≧ 10nm

激光波段

UV266nm)~ NIR1064nm)多波段選配

拉曼解析度

0.1–1.0 cm⁻¹、空間分辨率 ≤ 1 μm

偵測器選配

背照式冷卻 CCDInGaAs NIR 線型感測器

軟體功能

UniSCAN系統控制、光譜映射、定量分析

設備尺寸重量

1860 x 1600 x 1900 mm2.5

適用市場

  •  半導體製造業
  •  晶圓研發實驗室
  •  材料科學研究機構
  •  第三方檢測單位