UniDronEFEM-Semi 點擊圖片放大
商品名稱:

UniDronEFEM-Semi

規格介紹:

半自動共軛焦顯微拉曼光譜晶圓分析設備

詳細介紹:

 

  🧬專為晶圓材料打造的高精度無損分析利器

UniDronEFEM-Semi 是一款專門針對晶圓製程所設計的半自動共軛焦顯微拉曼光譜儀，具備創新非破壞性分析能力，可用於檢測晶圓中的殘留應力、晶格缺陷、摻雜濃度、材料結構與成分變化，並廣泛應用於半導體製程各階段如晶錠切片、晶圓切割、研磨、CMP、外延、薄膜沉積、蝕刻、離子注入與退火等工序。

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  🧬關鍵技術亮點

  • 半自動單Loadport晶圓上下料機，整合雙模式人工進樣與自動進樣，利用雷射穿透檢測技術，實現免預處理樣品的全流程資料追溯及品質嚴控。

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  🧬功能模式一覽

功能模式

應用實例

晶圓深度應力分析

薄膜沉積引發的多層壓縮與拉伸應力

晶格結構辨識

區分SiC 4H/6H/15R 等原子堆疊方式

晶格缺陷偵測

側堆層錯、位錯分佈

非破壞性摻雜濃度分析

雙層鋁/鎂離子注入後濃度與應力分布

材料成分定性

殘留物等異物分析

材料結構變化

晶圓切割後的鍵結斷裂與化學變化

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  🧬技術規格（節錄）

項目

規格

適用晶圓尺寸

6"、8"、12"（最大 300x300 mm）

自動分析時間

8" 晶圓、900 分析點 約 15 分鐘

自動載台精度

XY 解析度 ≧ 50nm，Z 解析度 ≧ 10nm

激光波段

UV（266nm）～ NIR（1064nm）多波段選配

拉曼解析度

0.1–1.0 cm⁻¹、空間分辨率 ≤ 1 μm

偵測器選配

背照式冷卻 CCD、InGaAs NIR 線型感測器

軟體功能

UniSCAN系統控制、光譜映射、定量分析

設備尺寸重量

1860 x 1600 x 1900 mm、2.5 噸

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