詳細介紹:
💡專為 SiC 製程打造的高精度檢測工具
⇒無損深層應力分析 — 無需破壞樣品,即可獲得晶圓內部應力場分布圖
⇒微觀缺陷檢測 — 偵測晶格錯位、裂紋、沉積瑕疵與材料非均勻性
⇒共軛焦顯微光譜成像 —實現微米級空間解析,精準鎖定應力熱點位置
⇒數據轉換與物理量演算 —拉曼/螢光譜峰轉換為定量應力數據與影像地圖
⇒可視化映射展示 —應力熱圖、缺陷位置、峰值偏移等一覽無遺
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💡應用場景區
⇒ 一機多用 · 滿足 SiC 製程關鍵節點檢測需求
- ⇒ 晶錠切片與初步研磨後 — 評估應力釋放情況
- ⇒ 晶圓切割與CMP製程後 — 檢測機械加工導致的微裂應力
- ⇒ 外延生長與薄膜沉積後 — 判斷晶層品質與界面張力
⇒ 離子注入/退火後 — 檢視晶格恢復與結構穩定性
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💡技術亮點區
技術核心 · 為精度與可靠性而生
- ⇒ 雷射激發模組:針對不同深度區域精準激發
- ⇒ 共軛焦顯微系統:高解析低雜訊掃描
- ⇒ 高靈敏光譜擷取:捕捉微弱訊號亦不失真
- ⇒ AI 資料分析引擎:自動峰值判讀與物理量運算
- ⇒ 應力分布視覺化引擎:生成可視化熱圖與3D剖面圖
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💡產品規格區
SIC-300A 產品規格總覽
項目 | 規格 |
檢測樣品 | SiC 晶錠、晶圓(多尺寸支援) |
操作方式 | 人工上下料(可選配自動化模組) |
深度解析 | 支援多層材料與微米級掃描 |
光譜範圍 | UV ~ NIR 可選搭配 |
檢測模式 | 拉曼、螢光、自動Mapping |
輸出格式 | 位移圖、熱圖、缺陷影像、量化報表 |
晶體晶格種類
晶體晶格缺陷
製程中材料結構變化