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規格介紹:UniDRON-APCRS
共軛焦顯微拉曼光譜晶圓全自動線上偵測設備
🔍 全新一代晶圓檢測方案
創新 UV–NIR 全波段自動對焦 × 拉曼光譜 × 即時無損演算技術
UniDRON-APCRS 是業界首創結合共軛焦顯微拉曼技術與全自動線上檢測平台的旗艦設備，專為先進半導體製程品質控管而設計。可於晶圓不同深度進行非破壞性定量分析，實現從材料端到製程端的即時回饋與自動判定。
🔍產品亮點
全波段對焦 × 實時量測 × 自動允收 × 無需前處理
- ✅ 全波段對焦技術：UV–NIR（266–1064nm）支援，跨波段精準成像
- ✅ 非破壞性即時檢測：無需切片、拋光，即可線上量測應力與摻雜
- ✅ 演算法驅動：專屬公式模型直接輸出應力/摻雜濃度數值
- ✅ 自動判定：內建判斷邏輯、支持高通量批次檢測
- ✅ 模組化整合：與 FOUP、FOSB、晶圓機械手臂無縫對接
🧪 可檢測項目與應用
檢測內容 | 功能說明 |
晶圓深度應力分佈 | 多層壓縮/拉伸應力分析，位移成像呈現 |
晶體晶格種類識別 | 鑑別4H/6H/15R單晶堆疊結構 |
晶格缺陷/層錯密度分析 | 堆疊層錯、E1/E2強度比分析、FWHM圖像化 |
晶圓摻雜濃度定量 | 鎂/鋁等離子注入層濃度，自動演算E₂位移圖像 |
多層異質結構分析 | 如矽鍺合金、應力層、多層膜厚分離辨識 |
⚙ 技術架構總覽
自動進樣
光譜採集
🧭🧭🧭 自動判定 從進料到允收，一機整合完成 🧭🧭🧭
🔧 主要規格一覽
項目 | 規格內容 |
晶圓尺寸支援 | 6” / 8” / 12” (150 / 200 / 300 mm) |
掃描點數 / 時間 | 900 點 ≒ 15 分鐘 (8吋晶圓) |
對焦解析度 | XY ≦ ±1µm、Z ≦ ±10nm |
光譜解析度 | 0.1–1.0 cm⁻¹ / pixel |
激光波段支援 | UV: 266–405nm, VIS: 457–633nm, NIR: 785–1064nm |
偵測器選配 | 高靈敏CCD / NIR InGaAs（雙通道可擴充） |
軟體平台 | UniSCAN × Wafer Map × Spectra Analytics |
潔淨等級 | Class 1 適用無塵室環境 |
設備體積/重量 | 3150 × 1940 × 2400 mm / 約4.2噸 |
📌 應用場景
💡 適用於半導體製造全流程：
♦ 晶圓切割 / 晶圓切片
- ♦ 研磨 / 化學機械拋光（CMP）
- ♦ 外延生長 / 薄膜沉積
- ♦ 離子注入 / 熱處理退火
- ♦ 材料分析 / 品質管制 / 製程優化
♻ ESG永續導向
- ♦ 拒用有毒/腐蝕性化學試劑
- ♦ 全流程光學檢測，安全綠色
- ♦ 數據可追溯，支援碳排估算與風險控管
